最近，“行家说三代半”了解到，国外有2家企业/机构正尝试在HBM芯片的先进封装领域采用碳化硅衬底，这是继碳化硅中介层之后的另一个新的机会。
今天，我们跟大家分析以下3个话题：
HBM内存TCB键合设备为什么要有碳化硅衬底？
碳化硅衬底在键合设备中的作用是什么？它相对于其他材料的优势是什么？
HBM键合设备的碳化硅潜在需求规模有多大？
4月8日，韩国中小企业技术信息振兴院发布了《2026 年度投资・融资联动技术开发项目 定向公告》，正式启动“HBM层压键合机用碳化硅单晶基高速脉冲加热器”开发课题。
据韩国方面，以碳化硅单晶作为基材，有助于为AI算力核心部件HBM（高带宽内存）热键合（TCB），开发高功率、高可靠的脉冲加热技术，攻克高温高速响应、精密脉冲控制、装备集成适配等关键技术，最终实现量产级可靠性验证与性能达标，补齐韩国半导体封装装备产业链短板。
据介绍，该课题最高可获得50亿韩元（约合人民币2300万元）支持，研发内容主要包括：SiC 单晶发热结构设计、SiC发热体制造与样机开发、HBM 键合设备机电接口设计等。
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