近日，博世与三安半导体相继公布SiC芯片/器件最新出货量，双方在SiC领域布局持续提速，规模化交付能力再上新台阶：
博世：自2021年以来累计交付超过6000万颗SiC芯片，未来8英寸器件产能将扩大至中等九位数级别（约4-6亿颗）。
三安半导体：一季度向维谛累计供货SiC芯片超500万颗，同比增长123%，目前SiC芯片/器件已累计出货4亿颗。
4月22日，博世在官网发文透露，自2021年第一代SiC芯片投产以来，博世已在全球范围内交付了超过6000万颗SiC芯片。
与此同时，博世宣布推出第三代SiC芯片，相比上一代产品，其比导通电阻降低 20%，短路耐受能力提高约10%，芯片厚度减少40%，仅为 100 微米，有助于进一步提高电动汽车效率和续航里程，支持SiC技术从高端电动汽车应用向更广泛的汽车领域过渡。
博世进一步透露，第三代SiC MOSFET晶圆将采用8英寸晶圆制造，生产基地位于德国罗伊特林根以及美国加利福尼亚州罗斯维尔，预计将于2027年全面上市，目前已向全球汽车制造商提供样品。
